Samsung поліпшить технології виробництва ШІ-чіпів — ForkLog UA

Корпорація Samsung представила низку майбутніх удосконалень у технологіях виробництва, спрямованих на залучення творців ШІ-чіпів.

Компанія пропонує покращений процес розроблення процесорів із використанням технології зворотного подавання живлення, згідно з якою шини розміщуються на іншій стороні кремнієвої пластини. За словами представників фірми, такий підхід підвищує потужність і продуктивність, знижуючи при цьому падіння напруги порівняно з 2-нм техпроцесом першого покоління.

За рахунок нововведень південнокорейська фірма планує збільшити кількість замовлень на виробництво напівпровідників для ШІ-чіпів.

Samsung також розповіла про свою ключову для ШІ-продуктів технологію оточення каналів з чотирьох сторін Gate-all-around (GAA). Процес дає змогу краще контролювати перемикання транзистора. Корпорація планує почати масове виробництво за 3-нм техпроцесом другого покоління в другій половині 2024 року і впровадити GAA в майбутній 2-нм техпроцес.

Компанія підтвердила роботу над 1,4-нм мікросхемами. Їх складання запустять у 2027 році.

За даними Bloomberg, Samsung об’єднає два північноамериканські дослідницькі центри зі штучного інтелекту і найме колишнього керівника Apple для управління новим підприємством.

Згідно з джерелами, компанія створює новий об’єднаний підрозділ North America AI Center для поліпшення роботи і підвищення ефективності роботи команд. До нього увійдуть співробітники з Торонто (Канада) і Каліфорнії (США), а очолить підрозділ Мурат Акбачак, який відповідав в Apple за розвиток Siri, стверджує видання.

Нагадаємо, Samsung заборонила співробітниками використовувати інструменти генеративного ШІ на кшталт ChatGPT через побоювання витоків секретних даних.

Источник

No votes yet.
Please wait...

Ответить

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте, как обрабатываются ваши данные комментариев.